Alimentato dalla V-NAND di quinta generazione di Samsung, il nuovo Universal Flash Storage offre 5 volte più spazio di archiviazione rispetto a 20 GB di memoria interna e una velocità 64 volte più veloce rispetto a una scheda microSD standard per applicazioni ad alta intensità di dati.
Η Samsung Electronics Co., Ltd., leader mondiale nella tecnologia di memoria avanzata, ha annunciato oggi la produzione in serie del primo eUFS (Universal Flash Storage) 2.1 integrato delle dimensioni di un terabyte da utilizzare nelle applicazioni mobili di prossima generazione. A soli quattro anni dall'annuncio della prima soluzione UFS, l'eUFS da 128 GB, Samsung ha superato il tanto atteso limite di un terabyte di spazio di archiviazione per smartphone. Gli appassionati di smartphone potranno presto usufruire di una capacità di archiviazione paragonabile a quella di un notebook premium, senza dover aggiungere schede di memoria extra ai propri telefoni cellulari.
"Si prevede che 1TB eUFS svolga un ruolo importante nella creazione di un'esperienza utente aggiornata sui dispositivi mobili di prossima generazione, simile a quella dei notebook", ha affermato Cheol Choi, Executive Vice President of Memory Sales & Marketing di Samsung Electronics. "Samsung si impegna anche a garantire la catena di approvvigionamento più affidabile e volumi di produzione sufficienti per supportare il rilascio dei prossimi smartphone di punta, con l'obiettivo di accelerare la crescita nel mercato globale della telefonia mobile".
Mantenendo le stesse dimensioni del pacchetto (11.5 mm x 13.0 mm), la soluzione eUFS da 1 TB raddoppia la capacità della precedente versione da 512 GB, combinando 16 livelli di memoria flash V-NAND da 512 GB più avanzata e un controller di memoria proprietario di nuova concezione. Gli utenti di smartphone saranno in grado di memorizzare 260 video di dieci minuti con risoluzione 4K UHD (3840X2160), mentre lo standard eUFS da 64 GB, visualizzato dalla maggior parte degli smartphone moderni, può memorizzare 13 video della stessa dimensione.
eUFS da 1 TB è estremamente veloce e consente agli utenti di trasferire contenuti multimediali di grandi dimensioni in un tempo notevolmente inferiore. A velocità fino a 1.000 megabyte al secondo (MB/s), il nuovo eUFS ha circa il doppio della velocità di lettura sequenziale di un SSD SATA standard da 2.5 pollici. Ciò significa che i video Full HD da 5 GB possono essere scaricati su un SSD NVMe in soli cinque secondi, che è 10 volte più veloce di una scheda microSD standard. Inoltre, la velocità di lettura casuale è stata aumentata del 38% rispetto alla versione da 512GB, arrivando a 58.000 IOPS. Le registrazioni casuali sono 500 volte più veloci di una scheda microSD ad alte prestazioni (100 IOPS), raggiungendo 50.000 IOPS. Le velocità casuali consentono riprese continue ad alta velocità a 960 fotogrammi al secondo e offrono agli utenti di smartphone l'opportunità di sfruttare al meglio le capacità multi-camera dei dispositivi moderni e delle ammiraglie di nuova generazione.
Per la prima metà del 2019, Samsung prevede di espandere la produzione della V-NAND da 512 GB di prossima generazione nel suo stabilimento in Corea per gestire l'elevata domanda del tanto atteso eUFS da 1 TB da parte dei produttori di dispositivi mobili di tutto il mondo.
[l'id_gruppo_di_annunci = ”966 ″]
