H TSMC, oggi prima potenza mondiale in termini di produzione di semiconduttori, siamo informati che inizia la costruzione di un'unità di produzione di chip con scala di integrazione 2nm.
Σsecondo il suo rapporto DigiTimes, tradotto dall'utente di Twitter @chiakokhua, ad eccezione del centro di ricerca e sviluppo per l'integrazione a 2 nm, La costruzione della rispettiva unità produttiva è già iniziata.
Va notato, ovviamente, che la scala di integrazione a 2 nm non si riferisce alla lunghezza del transistor, ma piuttosto alle distanze tra di loro (ogni azienda significa qualcosa di diverso).
La nuova struttura sarà situata vicino alla sede di TSMC a Hsinchu Science Park, Taiwan. Il rapporto conferma gli ultimi dettagli sul processo a 2 nm di TSMC, in particolare l'uso della tecnologia Porta tutto intorno (GAA).
Oltre ai progressi sulla questione della scala dell'integrazione, TSMC ha anche piani per lo sviluppo di metodi di confezionamento. Questo sviluppo include tecnologie come SoIC, InFO, CoWoS e WoW.
Tutte queste tecnologie sono considerate "3D Fabric" da TSMC, anche se alcuni sono in realtà 2.5D. Queste tecnologie saranno utilizzate per la produzione di massa presso le strutture "ZhuNan" e "NanKe", nella seconda metà del 2021, mentre si prevede che contribuiranno in modo significativo alle entrate della società.
Infine, si afferma che la rivale Samsung lavora con la tecnologia di confezionamento 3D X-cube, ma questa tecnologia attrae i clienti a un ritmo più lento rispetto alle tecnologie TSMC, principalmente a causa dei costi.
