Η Società di produzione di semiconduttori di Taiwan. presentato ufficialmente a Simposio sulla tecnologia TSMC 2022, la sua tecnologia di produzione N2 (categoria 2 nm)
O il suo primo nodo TSMC nella categoria di 2 nm utilizzerà transistor ad effetto di campo (GAAFET: transistor a effetto di campo gate-all-around) e il nuovo processo di produzione offrirà vantaggi in termini di prestazioni e potenza, ma in termini di densità dei transistor, difficilmente impressionerà nel 2025 quando verrà rilasciato.
Essendo una nuovissima piattaforma tecnologica di processo, il N2 di TSMC porta due innovazioni chiave: i transistor nanofoil (che è ciò che T chiamaSMC come GAAFET) e barra di alimentazione posteriore serve allo stesso scopo di aumentare le caratteristiche prestazionali per watt del nodo.
I transistor nanofoil GAA hanno canali circondati da cancelli su tutti e quattro i lati, il che riduce le perdite. Inoltre, i loro canali possono essere ampliati per aumentare il flusso di traffico e aumentare l'efficienza o ridursi per ridurre al minimo il consumo di energia ei costi.
Per alimentare questi transistor nanofoil con una potenza sufficiente e ora sprecarne uno qualsiasi, il N2 di TSMC utilizza l'alimentatore nella parte posteriore, che è considerata una delle migliori soluzioni per combattere i resistori di fine linea (BEOL).
In effetti, in termini di efficienza energetica e consumo, il nodo N2 basato su nano TSMC può raggiungere Rendimento dal 10% al 15% in più con la stessa potenza e complessità, e 2Dal 5% al 30% in meno di consumo energetico alla stessa frequenza e numero di transistor rispetto a TSMC N3E. Tuttavia, il nuovo nodo aumenta la densità del chip solo di circa 1,1 volte rispetto all'N3E.
In generale, il N3 di TSMC offre un aumento dell'efficienza del nodo completo e una riduzione del consumo energetico. Ma in termini di densità, la nuova tecnologia difficilmente può impressionare. Ad esempio, il nodo NOE delle offerte TSMC 1,3X aumento della densità del chip rispetto a N5, che è un aumento significativo.
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